特許
J-GLOBAL ID:200903062807776356

複数の半導体チップの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-266819
公開番号(公開出願番号):特開平11-154648
出願日: 1998年09月21日
公開日(公表日): 1999年06月08日
要約:
【要約】【課題】 複数の半導体を正確に定義した側面積をもって、および/または結晶損傷を低減して製造することのできるようにする。【解決手段】 基板ウェハ(19)にマスク層(4)を設け、マスク層(4)に複数の窓(10)を設け、該窓では基板ウェハ(19)の主面(9)が露出しており、半導体層列(18)を、窓(10)に露出した基板ウェハ(19)の主面(9)に析出し、これにより窓(10)に同種の機能的半導体構造体(2)を形成し、このようにして作製したウェハ(24)を、半導体構造体(2)の間で分離することにより半導体チップ(1)に個別化する。
請求項(抜粋):
複数の半導体チップ(1)の製造方法であって、基板ウェハ(19)の主面(9)に半導体層列(18)を析出する製造方法において、基板ウェハ(19)にマスク層(4)を設け、マスク層(4)に複数の窓(10)を設け、該窓では基板ウェハ(19)の主面(9)が露出しており、半導体層列(18)を、窓(10)に露出した基板ウェハ(19)の主面(9)に析出し、これにより窓(10)に同種の機能的半導体構造体(2)を形成し、このようにして作製したウェハ(24)を、半導体構造体(2)の間で分離することにより半導体チップ(1)に個別化する、ことを特徴とする、複数の半導体チップの製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (2件):
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
引用特許:
審査官引用 (3件)

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