特許
J-GLOBAL ID：200903093544800764
III族窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-206360
公開番号（公開出願番号）：特開平9-055536
出願日： 1995年08月11日
公開日（公表日）： 1997年02月25日
要約：
【要約】【課題】エッチングが困難なIII族窒化物系化合物半導体に対してエッチング技術を用いずにIII族窒化物系化合物半導体発光素子の素子分離、電極形成、端面反射鏡作製をする。【解決手段】基板1上に予め形成され、格子状にパターン化された誘電体膜としてのSiO2膜2により、III族窒化物系化合物半導体層の選択成長を行うことで、III族窒化物系化合物半導体層に対してエッチング技術を用いずに素子分離、電極形成、端面反射鏡が形成可能となる。
請求項（抜粋）：
III族窒化物系化合物半導体を含む薄膜積層構造を用いた半導体発光素子において、誘電体薄膜をパターン状に形成した基板上、または、該III族窒化物系化合物が予め設けられ、その上に該誘電体薄膜をパターン状に形成した基板上の、該誘電体薄膜以外の領域に選択的に、該III族窒化物系化合物半導体層を設けたIII族窒化物系化合物半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, H01L 21/20
, H01S 3/18
H01L 33/00 C
, H01L 21/20
, H01S 3/18
