特許
J-GLOBAL ID：200903062814599974

半導体装置およびその製造方法

発明者：
小崎 浩司

小崎 浩司 について


出願人/特許権者：
株式会社ルネサステクノロジ

株式会社ルネサステクノロジ について


代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-232448
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049779
出願日： 2004年08月09日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：
【課題】 電気的特性に優れた半導体装置を提供する。また、低温でゲートリーク電流量を小さくすることのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板1の上には、第1の絶縁膜5と、窒素を含む第2の絶縁膜6とからなるゲート絶縁膜が形成されている。また、ゲート絶縁膜の上にはゲート電極8が形成されている。そして、ゲート絶縁膜およびゲート電極8の側壁部には、第2の絶縁膜6に含まれる窒素濃度よりも高濃度の窒素を含むシリコン酸窒化膜11が形成されており、第2の絶縁膜6とシリコン酸窒化膜11が接触するゲート電極8の下端部付近での窒素濃度は周囲の窒素濃度よりも高くなっている。第2の絶縁膜6は5atm%〜20atm%の濃度の窒素を含むことが好ましく、シリコン酸窒化膜11は、第2の絶縁膜6に含まれる窒素濃度の1.1倍〜2.0倍の窒素を含むことが好ましい。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
シリコン基板の上に形成されたゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備えた半導体装置において、 前記ゲート絶縁膜は窒素を含む第1の絶縁膜を有し、該第1の絶縁膜の上に前記ゲート電極が形成されていて、 前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極の側壁部には、前記第1の絶縁膜に含まれる窒素濃度よりも高濃度の窒素を含む第2の絶縁膜が形成されており、 前記第1の絶縁膜と前記第2の絶縁膜が接触する前記ゲート電極の下端部付近での窒素濃度が周囲の窒素濃度よりも高くなっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 27/092 ,  H01L 21/823
FI (2件)：
H01L29/78 301G ,  H01L27/08 321D
Fターム (72件)：
5F048AA07 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB04 ,  5F048BB06 ,  5F048BB07 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB14 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048BF12 ,  5F048BF15 ,  5F048BF16 ,  5F048BG13 ,  5F048DA17 ,  5F048DA24 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AA24 ,  5F140AB03 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD17 ,  5F140BF04 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF17 ,  5F140BF18 ,  5F140BF59 ,  5F140BF60 ,  5F140BG09 ,  5F140BG11 ,  5F140BG14 ,  5F140BG19 ,  5F140BG32 ,  5F140BG33 ,  5F140BG34 ,  5F140BG37 ,  5F140BG39 ,  5F140BG50 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH35 ,  5F140BJ08 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ17 ,  5F140BJ20 ,  5F140BJ27 ,  5F140BK01 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK22 ,  5F140BK25 ,  5F140BK34 ,  5F140BK39 ,  5F140CB04 ,  5F140CF04 ,  5F140CF05
引用特許：
出願人引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM