特許
J-GLOBAL ID：200903062818095830
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-080589
公開番号（公開出願番号）：特開平8-279489
出願日： 1995年04月05日
公開日（公表日）： 1996年10月22日
要約：
【要約】【目的】 ブランケットCVDタングステン層のエッチバックにより、平坦性よく接続孔を埋め込む工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 接続孔6を含む基板上全面に高融点金属層5を形成し、CS2 を含むエッチングガスでエッチバックする。N2 を添加してもよい。またエッチバックを2段階化し、オーバーエッチング時にはF系ガスとH系ガスの混合ガスに切り替えてもよい。【効果】 イオウ系材料の平坦な堆積物層7を形成しつつエッチバックするので、高融点金属層5の表面モホロジが改善される。またローディング効果による異常浸食も防止できる。これら効果により、高信頼性のコンタクトプラグによる多層配線構造を有する半導体装置が製造できる。
請求項（抜粋）：
接続孔を有する層間絶縁膜上全面に形成された高融点金属層をエッチバックすることにより、前記接続孔内に前記高融点金属層を埋め込む工程を有する半導体装置の製造方法であって、少なくとも硫化炭素系化合物を含むエッチングガスを用いて、前記高融点金属層をエッチバックすることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/28 301
H01L 21/302 F
, C23F 4/00 E
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/302 L
