特許
J-GLOBAL ID：200903062845760218

N-ビニルラクタム誘導体とその重合体、及びその重合体を含有するフォトレジスト

発明者：
金 鎭伯

金 鎭伯 について

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鄭 ▲みん▼鎬

鄭 ▲みん▼鎬 について

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張 鏡浩

張 鏡浩 について


出願人/特許権者：
現代電子産業株式会社

現代電子産業株式会社 について

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韓国科学技術院

韓国科学技術院 について


代理人 (1件)： 荒船 博司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-245089
公開番号（公開出願番号）：特開平9-216867
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 超微細加工において用いられる遠紫外線露光に適した高感度、高解像性の画像を形成できるフォトレジスト用の材料を提供する。【解決手段】 一般式(I)で表されるN-ビニルラクタム誘導体、その重合体及びそれを含有するフォトレジストである。〔式中、R1は、水素原子、C1〜C10のアルキル基等;R2は-OR6,-CO2R6等;R3は水素原子、C1〜C10のアルキル基、C6〜C12のアリール基、C3〜C9のトリアルキルシリール基等;R4及びR5は水素原子、C1〜C10のアルキル基、C6〜C12のアリール基、C3〜C9のトリアルキルシリル基、-OR7;R6,R7はC1〜C10のアルキル基、C6〜C12のアリール基等;また、mは0〜10の整数;を表す〕
請求項（抜粋）：
一般式(I)で表されるN-ビニルラクタム誘導体。【化1】 [式中、R1は、水素原子、炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素原子数6〜12のアリール基、又は炭素原子数3〜9のトリアルキルシリル基を表す。R2は、-OR6、-SO3R6、-CO2R6、-PO3R6、-SO2R6、又は-PO2R6(R6は炭素原子数1〜10のアルキル基、シクロアルキル基、窒素原子、酸素原子、リン原子又は硫黄原子を含むヘテロシクロ基、又は炭素原子数6〜12のアリール基を示す。)を表す。R3は水素原子、炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素原子数6〜12のアリール基、炭素原子数3〜9のトリアルキルシリル基、-OR6、-SO3R6、-CO2R6、-PO3R6、-SO2R6、又は-PO2R6(R6は炭素原子数1〜10のアルキル基、シクロアルキル基、窒素原子、酸素原子、リン原子又は硫黄原子を含むヘテロシクロ基、又は炭素原子数6〜12のアリール基を示す。)を表す。R4及びR5は、ヒドロキシル基、-OR7(R7は炭素原子数1〜10のアルキル基、又は炭素原子数6〜12のアリール基)、水素原子、炭素原子数1〜10のアルキル基、炭素原子数6〜12のアリール基、又は炭素原子数3〜9のトリアルキルシリル基を表す。また、mは0〜10の整数を表す。]
IPC (11件)：
C07D207/277 ,  C07D205/08 ,  C07D207/273 ,  C07D211/74 ,  C07D223/10 ,  C07D405/12 223 ,  C07F 7/10 ,  C07F 9/553 ,  C08F 26/06 MNL ,  C08F 26/10 MNN ,  G03F 7/039 601
FI (11件)：
C07D207/277 ,  C07D207/273 ,  C07D211/74 ,  C07D223/10 ,  C07D405/12 223 ,  C07F 7/10 A ,  C07F 9/553 ,  C08F 26/06 MNL ,  C08F 26/10 MNN ,  G03F 7/039 601 ,  C07D205/08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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