フラッシュメモリのデ-タ管理方式

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：森哲也 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-012413
公開番号（公開出願番号）：特開平11-328982
出願日： 1999年01月20日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】フラッシュメモリに対するデータの書込、更新、読出等のデータ管理を行う場合に、他のメモリ資源を使用することなく、データを確実に保護しながら効率よい処理を行う。【解決手段】フラッシュメモリの1チップ内に複数のデータ管理部M1,M2とデータ格納部Dを形成し、データ管理部M1及びM2にデータ格納部Dに格納したデータの有効、無効、未書込状態を表すステータス情報I1、管理番号情報I2、格納先アドレス情報I3、サイズ情報I4でなる管理情報を格納し、管理番号が同一のデータ更新時に、更新データを未書込状態のデータ格納部に格納すると共に、ステータス情報I1を有効に設定し、古いデータに対してはステータス情報を無効に設定することにより、古いデータを残したまま更新データを格納する。

請求項（抜粋）：

1つのチップ内に複数個のメモリブロックを備え、上記メモリブロック単位での消去を可能に構成されたフラッシュメモリのデータ管理方式において、前記メモリブロックを任意容量の記憶領域に分割し、各記憶領域毎にデータ未書込状態、有効データ及び無効データを表すステータス情報を設定し、書込データの更新時に更新データをデータ未書込状態が設定されている記憶領域に格納した後に、更新前のデータが格納されている記憶領域に対応するステータス情報を無効データに設定することを特徴とするフラッシュメモリのデータ管理方式。

IPC (3件)：

G11C 16/02 , G06F 12/16 310 , G06F 12/16 340

FI (3件)：

G11C 17/00 601 E , G06F 12/16 310 A , G06F 12/16 340 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体メモリを用いた外部記憶システム及びその制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-197318 出願人：インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイシヨン
フラッシュ消去可能なプログラマブル・リードオンリメモリを用いてファイルシステムをマネージする方法及びシステム
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-013980 出願人：マイクロソフトコーポレイション
浮動セクタデータを記憶する固体メモリディスクをクリーンアップする方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-291528 出願人：インテル・コーポレーション

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