特許

J-GLOBAL ID：200903062909598886

真空紫外光CVDによる層間絶縁膜の製造方法

発明者： 歳川 清彦 ,  本山 理一 ,  本川 洋右 ,  八木 裕輔 ,  宮野 淳一 ,  横山 哲郎 ,  市木 豊
出願人/特許権者： 宮崎沖電気株式会社 ,  有限会社宮崎マシンデザイン ,  沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-260358
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075988
出願日： 2000年08月30日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 室温または350°C以下にて、TEOS等のSiを含む有機ソースを用いた真空紫外光CVDにより、平坦性のある段差埋め込み特性を有する真空紫外光CVDによる層間絶縁膜の製造方法を提供する。【解決手段】 合成石英窓2上よりXe2 エキシマランプ1を照射し、真空チャンバ3内にTEOS、添加ガスであるO2 を導入することにより、ウエハ6上に成膜を行った。生成時間は15分、ガス流量は100sccm、TEOS分圧は300mTorr、ウエハ6の温度は室温、放射照度は厚さ20mmの合成石英窓2直下にて12mW/cm2 、合成石英窓2とウエハ6との間の距離は15mmである。

請求項（抜粋）：

真空紫外光CVDにおいて、TEOS等のSiを含む有機ソースを原材料に、室温、または350°C以下にてSiOCH膜を生成し、平坦性のある段差埋め込み特性を有することを特徴とする真空紫外光CVDによる層間絶縁膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/48

FI (4件)：

H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 P ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/48

Fターム (24件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA24 ,  4K030BA27 ,  4K030BA29 ,  4K030BA35 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA09 ,  4K030FA08 ,  4K030LA02 ,  5F058BA04 ,  5F058BA09 ,  5F058BC02 ,  5F058BF05 ,  5F058BF25 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BF40 ,  5F058BH17 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光気相反応方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-262785   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開昭63-105970
  
• 絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-087478   出願人：佐々木亘, 黒澤宏, 横谷篤至, 宮崎沖電気株式会社, 清本鐵工株式会社, 宮崎ダイシンキャノン株式会社, 沖電気工業株式会社