特許
J-GLOBAL ID：200903062914067368
ゆらぎを抑制した半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
玉蟲 久五郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-192364
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023917
出願日： 1999年07月06日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体中に含まれる不純物原子のゆらぎを抑制した半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 シングルイオン注入装置により発生したシングルイオンを半導体中にシングルイオン注入することによって、半導体中に含まれる不純物原子数のゆらぎを抑制したことを特徴とする半導体装置であり、MOSデバイスの場合にはチャネルドーピングにおいて1個1個イオンをシングルイオン注入して不純物原子数のゆらぎを抑制した半導体装置を提供できる。
請求項（抜粋）：
シングルイオン注入装置により発生したシングルイオンを半導体中にシングルイオン注入することによって、半導体中に含まれる不純物原子数のゆらぎを抑制したことを特徴とする、ゆらぎを抑制した半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L 21/265 Z
, G21K 5/04
, H01L 21/265 603 A
, H01L 21/265 603 B
