特許
J-GLOBAL ID：200903062924096404
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-220330
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058639
出願日： 1998年08月04日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】【解決手段】 基板101上に下部配線層102を形成する工程と、下部配線層102を覆う絶縁膜103、104および105を基板101上に堆積する工程と、少なくとも一部が下部配線層102に達する凹部106および107を絶縁膜に形成する工程と、絶縁膜の凹部106および107の内部に上部配線層112を形成する工程とを包含する。上部配線層112を形成する工程は、絶縁膜の凹部106および107の内側壁および底面を覆う炭素含有TaN層109を化学的気層成長法によって堆積する工程と、TaN膜109の表面のうち、凹部底面上に位置する部分109bにイオンを照射する工程と、TaN膜109上に銅110および111を堆積する工程とを含む半導体装置の製造方法。
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板に支持される第1導電体膜と、前記第1導電体膜を覆うように前記基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された凹部と、前記絶縁膜の凹部内に形成され、前記第1導電体膜と電気的に接触する第2導電体膜と、を備えた半導体装置であって、前記第2導電体膜は、前記絶縁膜の凹部の内部に形成された炭素含有金属窒化物膜と、前記炭素含有金属窒化物膜上に形成された金属膜とを有し、前記金属窒化物膜のうち前記絶縁膜の凹部の底面上に形成された部分の炭素濃度が、前記金属窒化物膜のうち前記絶縁膜の凹部の内側壁上に形成された部分の炭素濃度よりも小さい半導体装置。
Fターム (24件)：
5F033AA02
, 5F033AA03
, 5F033AA04
, 5F033AA05
, 5F033AA13
, 5F033AA22
, 5F033AA29
, 5F033AA72
, 5F033BA12
, 5F033BA15
, 5F033BA17
, 5F033BA22
, 5F033BA25
, 5F033BA26
, 5F033BA45
, 5F033DA04
, 5F033DA05
, 5F033DA06
, 5F033DA23
, 5F033EA03
, 5F033EA19
, 5F033EA25
, 5F033EA28
, 5F033EA33
