特許
J-GLOBAL ID：200903062928300251
発光装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-329879
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243726
出願日： 2002年11月13日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：
【要約】【課題】発生した短波長光(紫外光)の光を効率よく蛍光体で可視光などに変換して外部に効率よく取り出すこと【解決手段】本発明は、n型層、p型層、負電極、正電極および前記n型層と前記p型層の間に介在する発光層を有する窒化物半導体発光素子と、該窒化物半導体発光素子上に粒子状蛍光体を含むコーティング層を有する発光装置において、窒化物半導体発光素子の表面は、凹部および島部を有し、凹部は、該凹部側面の間隔の最小値が粒子状蛍光体の平均粒径よりも大きい開口部を有し、内部に粒子状蛍光体を一粒子以上収納することを特徴とする発光装置である。さらに、発光素子の上方から蛍光体を含有した塗布液を霧状で且つ螺旋状に回転させながら吹き付ける工程を有することを特徴とするコーティング層の形成方法である。
請求項（抜粋）：
負電極を備えるn型層と、正電極を備えるp型層とを少なくとも有する発光素子と、該発光素子からの光の少なくとも一部を吸収して異なる波長を有する光を発光する粒子状蛍光体とを有する発光装置において、前記発光素子は、該発光素子の表面に凹部(110)を有し、該凹部内に前記粒子状蛍光体を有することを特徴とする発光装置。
IPC (3件)：
H01L 33/00
, C09K 11/02
, C09K 11/08
H01L 33/00 N
, C09K 11/02 Z
, C09K 11/08 J
4H001CA01
, 4H001CA02
, 5F041AA03
, 5F041AA11
, 5F041AA44
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA77
, 5F041CA93
, 5F041CB36
出願人引用 (1件)
-
半導体発光装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-357643
出願人：東芝電子エンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
審査官引用 (8件)
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