特許
J-GLOBAL ID:200903062943057851

磁気抵抗効果素子およびそのための基板

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 青山 葆 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-003201
公開番号(公開出願番号):特開平7-245433
出願日: 1995年01月12日
公開日(公表日): 1995年09月19日
要約:
【要約】【構成】 磁気抵抗効果素子は、基板および基板上に積層された少なくとも1層の磁性膜層を有して成る磁気抵抗効果素子であって、磁性層膜を積層する側の基板表面は、複数の畝を形成する三角波形状であり、三角波形状表面の真上から磁性膜層が形成されているか、あるいは個々の畝を形成する2つの斜面の同じ側の斜面上に磁性膜層が積層されていることを特徴とする。【効果】 電流の横滑りが防止され、大きな磁気抵抗変化率が達成される。
請求項(抜粋):
基板および基板上に積層された少なくとも1層の磁性膜層を有して成る磁気抵抗効果素子であって、磁性層膜を積層する側の基板表面は、複数の畝を形成する三角波形状であり、基板上に積層された磁性膜層の形状は基板表面の形状に対応する三角波形状であり、積層磁性膜層の全体の厚さは三角波の高さより大きいことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件):
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  H01L 43/12
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 特開昭63-142688
  • 磁気抵抗効果素子
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-134977   出願人:日本電気株式会社
  • 磁気抵抗装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-228150   出願人:フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
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