特許
J-GLOBAL ID：200903062962607340

半導体装置の製造方法

発明者：
江川 良実

江川 良実 について


出願人/特許権者：
沖電気工業株式会社

沖電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-040252
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242208
出願日： 1997年02月25日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 接続信頼性を向上することができ、製造時間の短縮を図ることのできる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体チップ1とインターポーザ(基板)3の間にシート状の熱硬化前アンダーフィル樹脂9を挟み込んで熱を加え、熱硬化前アンダーフィル樹脂9を溶かして熱硬化させ、熱硬化後のアンダーフィル樹脂8により半導体チップ1及びインターポーザ(基板)3を封止する。
請求項（抜粋）：
半導体装置を基板表面に設けた接続端子に接続するとともに、前記半導体装置を前記基板上に接合する半導体装置の製造方法であって、まず、前記基板上にシート状の硬化性樹脂を載置し、前記半導体装置を、前記硬化性樹脂を挟み込むようにして前記接続端子に接合すると同時に、前記硬化性樹脂により前記半導体装置を前記基板上に樹脂封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
FI (2件)：
H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L
引用特許：
審査官引用 (3件)

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