特許

J-GLOBAL ID：200903062983629947

半導体製造方法

発明者： 長谷川 博之 ,  山岡 智則 ,  石原 良夫 ,  増崎 宏
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  日本酸素株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-108563
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291671
出願日： 2000年04月10日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体製造方法において、プロセス時の条件を正確に調整して選択エピタキシャル成長等の反応性ガス処理を高精度に行うこと。【解決手段】 基板Wが内部に設置された反応室1内に反応性ガスを流して基板と反応性ガスとを反応させる反応性ガス処理を行う半導体製造方法であって、前記基板を設置した状態で前記反応室内又は該反応室のガス排気系内の水分濃度を計測し、該水分濃度に基づいて反応性ガス処理の条件を調整する。

請求項（抜粋）：

基板が内部に設置された反応室内に反応性ガスを流して基板と反応性ガスとを反応させる反応性ガス処理を行う半導体製造方法であって、前記基板を設置した状態で前記反応室内又は該反応室のガス排気系内の水分濃度を計測し、該水分濃度に基づいて反応性ガス処理の条件を調整することを特徴とする半導体製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/16 ,  C30B 29/06 504

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/16 ,  C30B 29/06 504 Z

Fターム (20件)：

4G077AA03 ,  4G077BA04 ,  4G077DB04 ,  4G077DB05 ,  4G077EH10 ,  4G077HA06 ,  4G077TJ15 ,  5F045AB02 ,  5F045AB32 ,  5F045AC01 ,  5F045AC05 ,  5F045AC13 ,  5F045AF03 ,  5F045DB02 ,  5F045DQ17 ,  5F045EB08 ,  5F045EB11 ,  5F045EN04 ,  5F045GB02 ,  5F045HA24

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-085927
  
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-302857   出願人：国際電気株式会社
• 特開平4-085927