特許

J-GLOBAL ID：200903062992257998

強誘電体膜の形成方法および強誘電体膜

発明者： 小西 晃雄
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (2件)： 布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-308173
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120513
出願日： 2004年10月22日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】 配向性が制御され、特性の良好な強誘電体を形成することができる強誘電体膜の形成方法および強誘電体膜を提供する。【解決手段】 本発明の強誘電体膜の形成方法は、複合酸化物の原材料体20を結晶化する工程を含み、 初期核を形成するための第1の熱処理を行う工程と、 結晶成長をさせるために、前記第1の熱処理と比して低い温度である第2の熱処理を行う工程と、を含む。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

複合酸化物の原材料体を結晶化する工程を含み、 初期核を形成するための第1の熱処理を行う工程と、 結晶成長をさせるために、前記第1の熱処理と比して低い第2の熱処理を行う工程と、 を含む、強誘電体膜の形成方法。

IPC (7件)：

H01B 19/00 ,  H01B 3/12 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24

FI (8件)：

H01B19/00 ,  H01B3/12 340 ,  H01L21/316 G ,  H01L21/316 P ,  H01L27/10 444B ,  H01L41/18 101D ,  H01L41/22 A ,  H01L27/10 444Z

Fターム (25件)：

5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BC05 ,  5F058BD05 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ04 ,  5F083FR02 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5G303AA01 ,  5G303AB05 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB25 ,  5G303DA02 ,  5G303DA07 ,  5G333AB12 ,  5G333CA03 ,  5G333DA21

引用特許：

出願人引用 (1件)

• セラミックス膜の製造方法および強誘電体キャパシタの製造方法、ならびにセラミックス膜、強誘電体キャパシタおよび半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-063169   出願人：セイコーエプソン株式会社