特許
J-GLOBAL ID：200903012403795309
セラミックス膜の製造方法および強誘電体キャパシタの製造方法、ならびにセラミックス膜、強誘電体キャパシタおよび半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
井上 一
, 布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-063169
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273808
出願日： 2003年03月10日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：
【課題】表面モフォロジーを改善することができるセラミックス膜または強誘電体キャパシタの製造方法およびこれらの製造方法により得られるセラミックス膜または強誘電体キャパシタを提供する。このセラミックス膜または強誘電体キャパシタが適用された半導体装置を提供する。【解決手段】基体10上に下部電極20を形成し、前記下部電極20の上に、複合酸化物を含む原材料体30を2気圧以上に加圧された状態で熱処理して結晶化させてセラミックス膜40を形成し、前記セラミックス膜の上に上部電極50を形成することを含み、前記複合酸化物は、PbまたはBiを構成元素として含み、前記原材料体30は、前記複合酸化物の構成元素のうち少なくともPbまたはBiが前記複合酸化物の化学量論的組成に対して多くとも5%過剰となるように含まれ、かつその他の構成元素が前記複合酸化物の化学量論的組成で含まれるゾルゲル原料およびMOD原料の混合物からなる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
複合酸化物を含む原材料体を2気圧以上に加圧された状態で熱処理して結晶化させることを含み、
前記複合酸化物は、PbまたはBiを構成元素として含み、
前記原材料体は、前記複合酸化物の構成元素のうち少なくともPbまたはBiが前記複合酸化物の化学量論的組成に対して多くとも5%過剰となるように含まれるゾルゲル原料およびMOD原料の混合物からなる、セラミックス膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/316 G
, H01L27/10 444A
, H01L27/10 444Z
, H01L27/10 444C
5F058BA01
, 5F058BA11
, 5F058BC03
, 5F058BD05
, 5F058BF46
, 5F058BH03
, 5F058BJ01
, 5F058BJ04
, 5F058BJ10
, 5F083FR05
, 5F083FR10
, 5F083GA21
, 5F083JA15
, 5F083JA17
, 5F083JA36
, 5F083JA38
, 5F083JA40
, 5F083JA43
, 5F083PR23
, 5F083PR33
, 5F083PR34
