特許

J-GLOBAL ID：200903062993408272

半導体基板、電力変換器、回転機械、及び、半導体基板の製造方法

発明者： 広瀬 文彦
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-252437
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069008
出願日： 2001年08月23日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：

【要約】【課題】結晶性と平坦性が十分であり、歩留まりが高く、高耐圧化を実現すること。【解決手段】Siが主成分である第1Si層9-1と、SiGe層9-4と、第1Si層9-1とSiGe層9-4との間に介設され、第1Si層9-1の表層部分9-2であり不純物が存在する部分を被覆する第2Si層9-3とから構成されている。第2Si層9-3は、SiGe層9-4のSiGe混晶構造を第1Si層9-1の不純物層9-2からSiGe層9-4を遠ざけていて、SiGe層9-4その表層の平坦性劣化を防止している。このような平坦性劣化の防止は、これを電子デバイスに用いたときに耐圧向上につながり、且つ、歩留まり向上につながる。

請求項（抜粋）：

Siが主成分である第1Si層と、SiGe層と、前記第1Si層と前記SiGe層との間に介設され、前記第1Si層の表層部分であり不純物が存在する部分を被覆する第2Si層とを含む半導体基板。

IPC (4件)：

H01L 29/165 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/737

FI (3件)：

H01L 29/165 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/72 H

Fターム (22件)：

5F003AP00 ,  5F003BF02 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BM01 ,  5F003BP31 ,  5F045AA06 ,  5F045AB01 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE13 ,  5F045AF03 ,  5F045BB12 ,  5F045BB19 ,  5F045DA52 ,  5F045EB13 ,  5F045EB14 ,  5F045EK07 ,  5F045EN04 ,  5F045HA22

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-324620
  
• 低損失トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-032159   出願人：三菱重工業株式会社, 株式会社三社電機製作所
• PWMインバータの並列運転制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-149132   出願人：三菱電機株式会社