特許
J-GLOBAL ID：200903098965557291

低損失トランジスタ

発明者：
廣瀬 文彦

廣瀬 文彦 について

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中野 浩児

中野 浩児 について

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左右田 裕

左右田 裕 について


出願人/特許権者：
三菱重工業株式会社

三菱重工業株式会社 について

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株式会社三社電機製作所

株式会社三社電機製作所 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-032159
公開番号（公開出願番号）：特開2001-223222
出願日： 2000年02月09日
公開日（公表日）： 2001年08月17日
要約：
【要約】【課題】 オン電圧が低く、かつスイッチ時間が短い低損失トランジスタを提供する。【解決手段】 基板と、第一導電型のSi膜からなるコレクタ層と、第二導電型のSiGe膜からなるベース層と、第一導電型のSi膜からなるエミッタ層と、エミッタ層の一部を欠落させるか、又はエミッタ層の一部の導電型を反転させ、その部分に金属端子を接合することにより形成されたベース電極と、エミッタ層に金属端子を接合することにより形成されたエミッタ電極と、基板またはコレクタ層のいずれかに金属端子を接合することにより形成されたコレクタ電極と、を具備するバイポーラトランジスタにおいて、単位面積当たりの前記エミッタ電極とベース電極とが近接配置された部分の接触界面の総延長をX(mm/cm2)とし、前記エミッタ層のドープ濃度(atom/cm3)をYとしたときに、X≧500、かつY≧9.0×1018-3.2×1015Xの関係を共に満たす。
請求項（抜粋）：
基板と、基板上に積層形成された第一導電型のSi膜からなるコレクタ層と、このコレクタ層の上に積層形成された第二導電型のSiGe膜からなるベース層と、このベース層の上に積層形成された第一導電型のSi膜からなるエミッタ層と、前記エミッタ層の一部を欠落させるか、又は前記エミッタ層の一部の導電型を反転させ、その欠落または反転させた部分に金属端子を接合することにより形成されたベース電極と、前記エミッタ層に金属端子を接合することにより形成されたエミッタ電極と、前記基板またはコレクタ層のいずれかに金属端子を接合することにより形成されたコレクタ電極と、を具備するトランジスタにおいて、単位面積当たりの前記エミッタ電極とベース電極とが近接配置された部分の接触界面の総延長をX(mm/cm2)とし、前記エミッタ層のドープ濃度(atom/cm3)をYとしたときに、次式の関係を共に満たすことを特徴とする低損失トランジスタ。X≧500Y≧9.0×1018-3.2×1015X
IPC (4件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/165 ,  H01L 29/43
FI (3件)：
H01L 29/165 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/46 F
Fターム (24件)：
4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104CC01 ,  4M104DD13 ,  4M104DD63 ,  4M104FF11 ,  4M104GG06 ,  5F003AP00 ,  5F003BA92 ,  5F003BB00 ,  5F003BB01 ,  5F003BB04 ,  5F003BB08 ,  5F003BB09 ,  5F003BC08 ,  5F003BE01 ,  5F003BE09 ,  5F003BE90 ,  5F003BF06 ,  5F003BH01 ,  5F003BH02 ,  5F003BM01 ,  5F003BP21 ,  5F003BP94
引用特許：
審査官引用 (7件)
  • 特開平1-262665
  • バイポーラトランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-268873   出願人：三菱電機株式会社
  • トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-011210   出願人：ローム株式会社
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