特許
J-GLOBAL ID：200903062999964592
半導体装置の製造方法および半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-327601
公開番号（公開出願番号）：特開平8-186172
出願日： 1994年12月28日
公開日（公表日）： 1996年07月16日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、配線層に接する不純物拡散層の表面に高濃度Ge層を形成する製造方法とその製造方法で形成された半導体装置を提供することである。【構成】 Geを第1導電型を有するSi結晶領域にイオン注入し、非晶質層を形成した後、第1導電型と逆の導電型を有する不純物を該非晶質領域にイオン注入し、イオン注入層を形成する工程と、該イオン注入層をアニールし、不純物拡散層を形成する工程と、配線層と接続される該不純物拡散層の表面領域を、Ge濃度が高濃度を示す深さまで凹型にエッチングする工程と、該エッチング面に接続する配線層を形成する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
Geがイオン注入された不純物拡散層を形成する工程と、該不純物拡散層の表面領域をエッチングし、エッチング後における該不純物拡散層の表面におけるGe濃度をエッチング前の該不純物拡散層表面におけるGe濃度より高くするエッチング工程と、該エッチング工程後の該不純物拡散層の表面に接続される配線層を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/768
, H01L 21/265
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L 21/90 D
, H01L 21/265 Z
, H01L 27/08 321 F
, H01L 29/78 301 P
