特許
J-GLOBAL ID：200903063002212711
気相エピタキシャル成長装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
舘野 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-127122
公開番号（公開出願番号）：特開平8-306632
出願日： 1995年04月27日
公開日（公表日）： 1996年11月22日
要約：
【要約】【目的】 遷移幅の減少と基板上に形成される薄膜の厚さの均一化とを同時に実現できる気相エピタキシャル成長装置を提供する。【構成】 偏平に形成された反応容器18と、反応容器18の周辺部から原料ガス19を供給する供給ノズル15と、半導体単結晶基板12を略水平に載置する支持具13と、赤外線加熱灯14と、反応容器18の上壁中心部に設けられたガス排出口11とを有し、原料ガス19は渦を生じることなく、反応容器18の中央部に集まった後、ガス排出口11から上向に排出される。
請求項（抜粋）：
偏平に形成された反応容器と、該反応容器の周辺部から原料ガスを供給するガス供給手段と、半導体単結晶基板を略水平に載置する保持手段と、加熱手段と、前記反応容器の上壁中心部に設けられた反応ガスの排出口とを有することを特徴とする気相エピタキシャル成長装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44 D
