特許

J-GLOBAL ID：200903063007330100

半導体被膜作製装置および薄膜太陽電池および薄膜太陽電池の作製方法

発明者： 篠原 久人 ,  荒井 康行
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所 ,  ティーディーケイ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-069391
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298333
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【目的】 高い初期変換効率を維持しつつ、光劣化の少ない薄膜太陽電池を作製する半導体作製装置を提供する。【構成】 グロー放電分解法により基板上に半導体被膜を作製する半導体被膜作製装置であって、基板はグロー放電空間内の所定の方向に搬送され、基板を加熱する基板加熱手段は、基板の搬送方向において異なる温度で基板を加熱する。このようにして水素濃度の異なる複数の半導体層を任意の特性、膜厚で積層する。また、グロー放電を発生させる手段は、基板の搬送方向において周波数、出力またはその両方が異なる高周波電力を発生させる。このようにして、成膜時の自己バイアス電圧や成膜速度を制御し、接合界面の欠陥準位密度の低減やスループットの向上を図る。

請求項（抜粋）：

反応室と、該反応室を真空排気する排気手段と、前記反応室内に反応ガスを導入するガス導入手段と、前記反応室内に設けられたグロー放電発生手段と、前記反応室内に設けられた基板加熱手段とで構成され、基板が前記グロー放電発生手段により形成されるグロー放電空間内の所定の方向に搬送され、前記基板加熱手段は、前記基板の搬送方向において異なる温度で前記基板を加熱することを特徴とする半導体被膜作製装置。

IPC (4件)：

H01L 31/04 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

H01L 31/04 T ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 B

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 光起電力素子及び発電システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-332060   出願人：キヤノン株式会社
• 特開平2-117127
  
• 特開昭63-040383
  
• 特開昭59-107574