特許
J-GLOBAL ID:200903063011917795

光学的情報記録媒体およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 小野 由己男 ,  稲積 朋子 ,  渡辺 尚
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-135012
公開番号(公開出願番号):特開2005-004948
出願日: 2004年04月30日
公開日(公表日): 2005年01月06日
要約:
【課題】 Zr、Si、Crを含んだ誘電体層を用いた片面2層記録媒体において、耐湿試験後に誘電体層と記録層の界面で膜剥離を生じるという課題が発生する。Cr2O3量を増やすことで膜剥離は改善されるが透過率が低下する。【解決手段】 少なくとも2つの情報層を備え、レーザー光の入射側から見て手前側にある第1の情報層100が、反射層3と、反射層3に対してレーザー光入射側に位置しておりアモルファス相と結晶相との間でレーザー光の照射による光学的な検出が可能な可逆的変化を生じる記録層6と、反射層3と記録層6との間に位置する誘電体層50とを少なくとも備えた光学的情報記録媒体において、誘電体層50が少なくともZr、Si、Crを含有しており、誘電体層50の反射層側におけるZr、Si、Crの比率がZr:Si:Cr=p:q:r(p+q+r=100)で表され、誘電体層50の記録層側界近傍におけるZr、Si、Crの比率がZr:Si:Cr=s:t:u(s+t+u=100)で表され、かつ、r<u、あるいは、t<qとする。【選択図】 図2
請求項(抜粋):
基板の上に少なくとも2つの情報層を備え、 レーザー光の入射側にある情報層が、反射層と、前記反射層に対して前記レーザー光入射側に位置しておりアモルファス相と結晶相との間で前記レーザー光の照射による光学的な検出が可能な可逆的変化を生じる記録層と、前記反射層と前記記録層との間に位置する誘電体層とを少なくとも備えた光学的情報記録媒体において、 前記誘電体層は、少なくともZr、Si、Crを含有し、 前記誘電体層の反射層側におけるZr、Si、Crの比率がZr:Si:Cr=p:q:r(p+q+r=100、p、q、rはat%)と書き表され、 前記誘電体層の記録層側の界面近傍におけるZr、Si、Crの比率がZr:Si:Cr=s:t:u(s+t+u=100、s、t、uはat%)と書き表され、 かつ、r<uであることを特徴とする光学的情報記録媒体。
IPC (2件):
G11B7/24 ,  G11B7/26
FI (7件):
G11B7/24 535G ,  G11B7/24 501Z ,  G11B7/24 522P ,  G11B7/24 534H ,  G11B7/24 534K ,  G11B7/24 535H ,  G11B7/26 531
Fターム (8件):
5D029HA06 ,  5D029JB13 ,  5D029LA13 ,  5D029LA14 ,  5D029LB09 ,  5D029LB11 ,  5D121AA04 ,  5D121EE09
引用特許:
出願人引用 (1件) 審査官引用 (6件)
  • 多層相変化型情報記録媒体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-232456   出願人:株式会社リコー
  • 情報記録媒体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平11-307177   出願人:日立マクセル株式会社, 株式会社日立製作所
  • 光記録方法および光記録媒体
    公報種別:公開公報   出願番号:特願2001-261702   出願人:ティーディーケイ株式会社
全件表示

前のページに戻る