特許

J-GLOBAL ID：200903063021466368

半導体装置及びその製造方法

発明者： 松井 孝二郎
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-217311
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067893
出願日： 1997年08月12日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 トレンチ型素子分離領域を備える半導体装置において、コンタクトホールが素子分離領域にかかると、コンタクトホールを埋め込む導電物と基板が短絡し、リーク電流が流れるという問題がある。【解決手段】 シリコン基板上に形成された素子分離用トレンチ14の側面のシリコン酸化膜2と、そのシリコン酸化膜2上に形成されトレンチ14を埋め込んだシリコン酸化膜16の側壁のシリコン窒化膜13と、シリコン基板上に形成された拡散層10及び配線層12とを接続するコンタクトホール18とを備えたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

トレンチ型素子分離を有する半導体装置において、前記トレンチの内側に第1の絶縁膜を有し、該トレンチの周縁部の第1の絶縁膜がエッチングされるのを防止する第2の絶縁膜を備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/76 S ,  H01L 21/90 C ,  H01L 29/78 301 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-289571   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 特開平3-263352