特許
J-GLOBAL ID：200903063026112645

多ビーム半導体レーザ素子及び半導体レーザ装置

発明者：
上島 研一

上島 研一 について

, 
宮内 恵一

宮内 恵一 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-212186
公開番号（公開出願番号）：特開2003-031905
出願日： 2001年07月12日
公開日（公表日）： 2003年01月31日
要約：
【要約】【課題】 チップ付け強度を高める。【解決手段】 端面からレーザ光を出射するビームを半導体基板の一面に並んで複数有し、前記各ビームの上面に電極を有する多ビーム半導体レーザ素子であって、前記半導体基板の一面に前記ビームと同じ高さになるとともに上面に電極を有するダミービームを1乃至複数設けてある。前記ダミービームの幅は前記ビームの幅よりも広くなるとともに、前記ダミービームの前記電極の幅は前記ビームの前記電極の幅よりも広くなっている。前記各ビームは前記半導体基板の一面に設けられた分離溝によって相互に電気的に分離されているとともに、前記分離溝の幅は同じ幅になっている。多ビーム半導体レーザ素子は、ビーム及びダミービームの上面の電極面が半田を介してサブマウントの電極に固定される。
請求項（抜粋）：
端面からレーザ光を出射するビームを半導体基板の一面に並んで複数有し、前記各ビームの上面に電極を有する多ビーム半導体レーザ素子であって、前記半導体基板の一面に前記ビームと同じ高さになるとともに上面に電極を有するダミービームを1乃至複数設けたことを特徴とする多ビーム半導体レーザ素子。
IPC (2件)：
H01S 5/22 610 ,  H01S 5/022
FI (2件)：
H01S 5/22 610 ,  H01S 5/022
Fターム (7件)：
5F073AA13 ,  5F073BA02 ,  5F073BA07 ,  5F073CA07 ,  5F073EA29 ,  5F073FA15 ,  5F073FA27
引用特許：
審査官引用 (4件)
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