半導体レーザアレイ素子および半導体レーザアレイ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-069662
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274634
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】無効電流の低下によるしきい値の低減。【解決手段】半導体基板に複数のレーザダイオードが並列にモノリシックに設けられた半導体レーザアレイ素子であって、前記半導体基板の一面側には前記各レーザダイオードの全てのアノード電極およびカソード電極が設けられている。レーザダイオードは前記半導体基板の一面側に設けられた多層の半導体層部分に形成されるとともに、レーザダイオードを構成する最下層の前記半導体層の下に形成された絶縁手段と、前記半導体基板の一面に設けられ前記絶縁手段に到達するアイソレーション溝によって電気的に独立している。レーザダイオードはN導電型のブロック層で正孔の流れ域を規定する電流狭窄構造になっている。正孔の流れ域は電子に比較して狭く、無効電流の低減によりしきい値が小さくなる。また、各電極は相互に電気的に独立し、使い勝手がよくなる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に複数のレーザダイオードが並列にモノリシックに設けられた半導体レーザアレイ素子であって、前記半導体基板の一面側には前記各レーザダイオードの全てのアノード電極およびカソード電極が設けられていることを特徴とする半導体レーザアレイ素子。

引用特許：

出願人引用 (9件)

特開昭58-170058
アレイ型半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-174369 出願人：三菱電機株式会社
特開平1-260878

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審査官引用 (9件)

特開昭58-170058
アレイ型半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-174369 出願人：三菱電機株式会社
特開平1-260878

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