特許
J-GLOBAL ID：200903063028337750
炭化珪素膜のCVD方法、CVD装置及びCVD装置用サセプター
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
三好 秀和 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-274349
公開番号（公開出願番号）：特開2003-086518
出願日： 2001年09月10日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：
【要約】【課題】 CVD膜に取り込まれる不純物を半導体プロセスで適用可能なレベルまで下げることが可能なCVD方法及びCVD装置を提供する。【解決手段】 時刻t1〜t6の第1真空ベーク、時刻t6〜t8の水素(H2)パージ、時刻t8〜t11のSiC/Siコート、時刻t11〜t13の真空排気、時刻t13〜t18の第2真空ベーク、時刻t18〜t20のウェハロード、及び時刻t20〜t25のエピ成長の各段階から構成されている。第1真空ベークでは、グラファイトサセプター2の温度を200°C程度に昇温し、ベーキングを続け、圧力が下がれば500°C程度まで昇温する。500°C程度のベーキングにより、圧力が下がれば、800°C程度、更に1000°C程度までと段階的に昇温する。1000°C程度のベーキングにより圧力が下がれば、1200°C程度まで昇温する。
請求項（抜粋）：
反応容器の内部に、窒素密度が1×1017cm-3以下のグラファイトサセプターを挿入する工程と、前記グラファイトサセプターを真空ベークする工程と、前記グラファイトサセプターを室温近傍の温度にし、且つ前記グラファイトサセプターを大気に曝さないようにして、前記グラファイトサセプターに基板を配置する工程と、前記反応容器の内部を減圧状態に制御して、前記グラファイトサセプターを前記ベーキング温度よりも高温の成長温度まで加熱し、前記基板上に、炭化珪素膜を気相エピタキシャル成長する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素膜のCVD方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (30件)：
4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030BA37
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030FA04
, 4K030GA02
, 4K030JA10
, 4K030KA46
, 5F045AA06
, 5F045AB02
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC08
, 5F045AC15
, 5F045AD16
, 5F045AD17
, 5F045AD18
, 5F045AF02
, 5F045AF13
, 5F045EB08
, 5F045EB11
, 5F045EB12
, 5F045EC07
, 5F045EK03
, 5F045EM02
, 5F045EM09
, 5F045EN04
, 5F045GB05
, 5F045GB06
