特許
J-GLOBAL ID:200903059362903742
低窒素濃度炭素系材料及びその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
梶 良之 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-382973
公開番号(公開出願番号):特開2002-249376
出願日: 2001年12月17日
公開日(公表日): 2002年09月06日
要約:
【要約】【課題】 グロー放電質量分析法による窒素濃度が100ppm以下の低窒素濃度炭素系材料及びその製造方法を提供する。【解決手段】 ハロゲンガス雰囲気下で高純度処理した炭素系材料を、圧力100Pa以下、1800°C以上で熱処理し、炭素系材料中の窒素を放出させた後、圧力100Pa以下若しくは希ガス雰囲気下において冷却を行う。
請求項(抜粋):
グロー放電質量分析法による窒素濃度が100ppm以下である低窒素濃度炭素系材料。
IPC (4件):
C04B 35/52
, C23C 16/458
, C30B 15/10
, H01L 21/205
FI (4件):
C23C 16/458
, C30B 15/10
, H01L 21/205
, C04B 35/54 E
Fターム (22件):
4G032AA04
, 4G032AA21
, 4G032BA01
, 4G032BA04
, 4G032GA01
, 4G032GA19
, 4G077AA02
, 4G077BA04
, 4G077BE08
, 4G077CF10
, 4G077EG02
, 4G077HA12
, 4G077PD01
, 4K030BA37
, 4K030FA01
, 4K030FA10
, 4K030GA02
, 4K030KA47
, 4K030LA12
, 5F045AB02
, 5F045BB14
, 5F045EM09
引用特許:
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