特許
J-GLOBAL ID:200903063064934268

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 筒井 大和
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-189218
公開番号(公開出願番号):特開平6-037233
出願日: 1992年07月16日
公開日(公表日): 1994年02月10日
要約:
【要約】【目的】 半導体チップを基板に高密度に実装する技術を提供する。また、半導体チップと基板との接続信頼性を向上させる技術を提供する。【構成】 実装基板1のフットプリント4と半導体チップ2の電極パッド3とを接続するリード5は、フットプリント4に接続されたその一端側が電極パッド3に接続された他の一端側よりも半導体チップ2の内側に位置するように延在されており、かつその中途部には、実装基板1および半導体チップ2のいずれとも接触していない中空状態の屈曲部5aが形成されている。また、リード5のフットプリント4に接続された一端と半導体チップ2の主面との間には、ゴム状弾性体からなる突起6が介在されている。
請求項(抜粋):
一端が実装基板の主面のフットプリントに接続され、他の一端が半導体チップの主面の電極パッドに接続されたリードを介して前記半導体チップを前記実装基板にフェイスダウンボンディングしてなる半導体集積回路装置であって、前記リードは、前記フットプリントに接続された一端側が前記電極パッドに接続された他の一端側よりも半導体チップの内側に位置するように延在され、かつ前記リードの中途部には、中空状態の屈曲部が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (3件):
H01L 23/50 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
引用特許:
出願人引用 (10件)
  • フィルムキャリア半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-295326   出願人:日本電気株式会社
  • 特開平4-280458
  • 特開昭57-121255
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