特許
J-GLOBAL ID:200903063078634062

プラズマ処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須山 佐一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-040117
公開番号(公開出願番号):特開2003-332305
出願日: 2003年02月18日
公開日(公表日): 2003年11月21日
要約:
【要約】【課題】 不所望なプラズマリークが発生することを抑制することができ、安定したプラズマで安定したプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 半導体ウエハWが載置される載置台2の周囲を囲むように設けられた排気リング30が、下方に向けて突出し、断面形状が略U字状となるように形成され、溝状空隙31が形成されている。また、排気リング30は、真空チャンバ1と電気的に導通され、接地電位とされている。高周波電源9から印加する高周波電力を増大させると、プラズマPが溝状空隙31内に侵入するように容積が拡大し、これによって、プラズマリークが発生することを抑制することができる。
請求項(抜粋):
被処理基板を収容しプラズマ処理するための真空チャンバと、前記真空チャンバ内に設けられ、前記被処理基板が載置される下部電極と、前記下部電極と対向するように前記真空チャンバ内に設けられた上部電極と、前記真空チャンバ内を排気するための排気手段とを具備し、前記下部電極と前記上部電極との間に高周波電源から高周波電力を印加して、前記下部電極と前記上部電極との間に形成された処理空間内にプラズマを生起するプラズマ処理装置であって、前記真空チャンバ内に、前記処理空間内に形成された前記プラズマの容積が増大した際に侵入するためのプラズマ拡散用空隙を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
Fターム (6件):
5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB07 ,  5F004BC02 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • プラズマチャンバ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-164458   出願人:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
  • 高コンダクタンスのプラズマ封じ込め構造
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平10-297995   出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
  • プラズマ発生装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平5-067837   出願人:松下電器産業株式会社

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