特許
J-GLOBAL ID：200903063082553395
半導体レ-ザ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-035385
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274657
出願日： 1996年02月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 結晶成長によって作る層構造を工夫することによって、ウェットエッチンクで形成されるメサ形状を改善し、キンクレベルが高く、効率が高い半導体レーザを提供する。【解決手段】 基板201上に第1及び第2アウタークラッド層206,207,ヘテロバッファ層208,キャップ層209を多層に積層する。第1アウタークラッド層206と第2アウタークラッド層207とはエッチングレートが異なる材料から構成されている。このためウェットエッチンクでメサ形成を行うと、メサトップ幅とメサボトム幅との差が小さいメサ形状となる。
請求項（抜粋）：
ダブルへテロ構造上に形成されたエッチングストッパー層上に横モード制御のためのメサ型クラッド層を有する半導体レーザであって、前記メサの、導波路方向と垂直な断面形状は、台形を2段もしくは3段以上に重ねた多重台形形状をしており、前記多重台形形状において、活性層から遠い側の台形の下底辺の長さは、活性層に近い側の台形の上底辺の長さより長く、前記多重台形形状の活性層から遠い側の台形部分を構成する半導体の組成は、エッチャントに対して、活性層から近い側の台形部分を構成する半導体の組成よりエッチングレートが遅い組成となっており、さらに、前記多重台形形状を構成する半導体層の組成は、(AlxGa1-x)0.5In0.5P(0.5≦X≦0.8)であることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
H01S 3/18 673
, H01L 21/3065
H01S 3/18 673
, H01L 21/302 J
