半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：福島祥人 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-089856
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297483
出願日： 1994年04月27日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】駆動電流が低く、かつ垂直方向の光の閉じ込めが強められた半導体レーザ装置を提供することである。【構成】 S-MQW活性層4との屈折率差を大きくして垂直方向の光の閉じ込めを強くするために、クラッド層平坦部51となるp-第1クラッド層5a,5bにおけるAl組成xを0.6≦x≦1に設定する。また、キャリア濃度を高くして抵抗を低くするために、クラッド層リッジ部52となるp-第2クラッド層5cにおけるAl組成xを0<x<0.6に設定する。

請求項（抜粋）：

活性層上にクラッド層が積層されてなる半導体レーザ装置において、前記活性層との界面近傍の領域において前記活性層との屈折率差が大きくなりかつ前記クラッド層の残りの領域においてキャリア濃度が高くなるように前記クラッド層の組成が設定されたことを特徴とする半導体レーザ装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

可視光半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-126951 出願人：三洋電機株式会社
特開平4-142093
半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-058943 出願人：株式会社日立製作所

全件表示

前のページに戻る