特許

J-GLOBAL ID：200903063103077653

無電解めっき方法

発明者： 小林 秀行
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (2件)： 綿貫 隆夫 ,  堀米 和春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-175285
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353960
出願日： 2004年06月14日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】シリコンから成るウェーハの一面側に形成された電極端子の端子面に施す無電解めっきを照明下で施しても、各電極端子の端子面の全面を覆う無電解めっき層を安定して形成し得る無電解めっき方法を提供する。【解決手段】シリコンから成るウェーハ10の一面側に形成された電極端子12の端子面に無電解めっきを施す際に、該ウェーハ10の他面側の全面に電気絶縁材料としてのダイシングテープ16を貼着して絶縁した後、前記端子面に無電解めっきを施すことを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコンから成るウェーハ又は基板の一面側に形成された電極端子の端子面又は前記電極端子に一端が接続された再配線の他端に形成されたパッド部のパッド面に無電解めっきを施す際に、 該ウェーハ又は基板の他面側の全面を電気絶縁材料によって絶縁した後、前記端子面又はパッド面に無電解めっきを施すことを特徴とする無電解めっき方法。

IPC (3件)：

H01L21/60 ,  C23C18/16 ,  H01L21/3205

FI (3件)：

H01L21/92 604M ,  C23C18/16 B ,  H01L21/88 T

Fターム (15件)：

4K022AA05 ,  4K022AA41 ,  4K022BA14 ,  4K022CA08 ,  4K022CA27 ,  4K022DA01 ,  4K022DB02 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033PP28 ,  5F033VV07

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置の電極の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-318965   出願人：ソニー株式会社