特許
J-GLOBAL ID：200903063113106830

化合物半導体の製造装置

発明者：
岡久 拓司

岡久 拓司 について

, 
元木 健作

元木 健作 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 越場 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-169405
公開番号（公開出願番号）：特開平11-001391
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：
【要約】【課題】基板の上に成長されるInGaNエピタキシャル層のIn組成の制御性を高めることができる製造装置の提供。【解決手段】本発明による化合物半導体の製造装置では、In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N(ただし、0<x<1)の気相成長させるのに、ほぼ同心状に設けられた内側管(7)、中間管(8)及び外側管(9)より成る三重管構造の反応管が採用される。これらの管(7〜9)によって区画される空間、つまり、内側管(7)内、中間通路(81)及び側部通路(91)は、窒素化合物ガス(NH<SB>3 </SB>)、三塩化インジウム(InCl<SB>3 </SB>)蒸気及びガリウム化合物ガス(GaCl)の各原料ガスを、GaAs基板(2A)の近傍まで、個別的に導入するための通路として形成される。
請求項（抜粋）：
インジウム(In)原料として三塩化インジウム(InCl<SB>3</SB> )を用いて基板の上に窒化インジウムガリウム(In<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N、ただし、0<x<1)を気相成長させるための化合物半導体の製造装置において、内側管、中間管及び外側管がほぼ同心状に設けられ、これらの管により形成される空間が、少なくとも、三塩化インジウムを含むガス、ガリウム化合物を含むガス及び窒素化合物を含むガスを前記基板の近傍まで個別的に導入するための通路として構成されることを特徴とする化合物半導体の製造装置。
IPC (4件)：
C30B 25/02 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C30B 25/02 P ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/205
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)
引用文献：
出願人引用 (1件)
  • Vapor phase epitaxy of InxGa1-xN using InCl3,GaCl3 and NH3 sources
審査官引用 (1件)
  • Vapor phase epitaxy of InxGa1-xN using InCl3,GaCl3 and NH3 sources

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