特許

J-GLOBAL ID：200903063146492654

酸化物超電導体の製造方法

発明者： 村上 雅人 ,  坂井 直道 ,  高市 浩 ,  近藤 章弘 ,  鍵谷 昌一 ,  中村 尚道 ,  藤本 浩之 ,  腰塚 直己 ,  田中 昭二
出願人/特許権者： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  新日本製鐵株式会社 ,  東ソー株式会社 ,  四国電力株式会社 ,  川崎重工業株式会社 ,  北陸電力株式会社 ,  川崎製鉄株式会社 ,  財団法人鉄道総合技術研究所
代理人 (1件)： 田村 弘明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-245303
公開番号（公開出願番号）：特開平6-206799
出願日： 1992年09月14日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 本発明は結晶方位を制御することによって、実用に供することが可能な大型の酸化物超電導体を製造する方法を提供する。【構成】 Y:Ba:Cuの比が1.0〜2.0:2.0〜2.5:3.0〜3.5となるY系超電導体を半溶融状態から凝固する過程で、直交する二方向の結晶成長温度域移動速度を変えて結晶成長させることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。【効果】 本発明によって得た大型酸化物超電導体を用いることにより浮上力が向上し、装置の高性能化が果たせる。

請求項（抜粋）：

Y:Ba:Cuの比が1.0〜2.0:2.0〜2.5:3.0〜3.5となるY系超電導体を半溶融状態から凝固する過程で、直交する二方向の結晶成長温度域移動速度を変えて結晶成長させることを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/22 501 ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  C30B 11/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01B 12/00 ZAA