特許

J-GLOBAL ID：200903063152311556

光変調器及びその製造方法

発明者： 大竹 文雄 ,  雙田 晴久
出願人/特許権者： 富士通カンタムデバイス株式会社 ,  富士通株式会社
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-267090
公開番号（公開出願番号）：特開2004-102160
出願日： 2002年09月12日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】変調電圧が低減化された光変調器を提供する。更にこのような効果を得られる光変調器の製造方法を提供する。【解決手段】光導波路2a,2bの上部に設けられたP型又はN型の上部クラッド層9a,9bと、光導波路2a,2bの延在部における上部クラッド層9a,9b上にそれぞれ離間して設けられ、光導波路部2a,2bに変調信号を印加する複数の変調電極4a,4bとを有し、上部クラッド層9a,9bが、複数の変調電極4a,4bの直下に位置する第1の領域と、該第1の領域の間に位置する第2の領域とを有し、、該第2の領域に、第1の領域間を電気的に分離する分離部6a,6bを有する。この分離部6a,6bは例えば高抵抗の半導体層や第1の領域の導電型と反対の導電型の半導体層等で形成される。更に、第2の領域を空乏化する構成としても良い。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

光導波路の上部に設けられたP型又はN型の半導体層と、 前記光導波路の延在部における前記半導体層上にそれぞれ離間して設けられ、前記光導波路に変調信号を印加する複数の変調電極とを有し、 前記半導体層は、前記複数の変調電極の直下に位置する第1の領域と、該第1の領域の間に位置する第2の領域とを有し、該第2の領域が、前記第1の領域間を電気的に分離する分離部を有することを特徴とする光変調器。

IPC (2件)：

G02F1/025 ,  G02F1/015

FI (2件)：

G02F1/025 ,  G02F1/015 505

Fターム (11件)：

2H079AA02 ,  2H079AA12 ,  2H079BA01 ,  2H079BA03 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA05 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  2H079EB15 ,  2H079HA14

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-209761   出願人：富士通株式会社