基板処理方法及び基板処理装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-090060
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289502
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】フォトレジストの現像処理において、現像液のアルカリ濃度の低下や微細な気泡の発生等を抑制し、現像処理後のパターン寸法の均一性を向上させ、同時に欠陥箇所の発生も低減させることを課題とする。【解決手段】ノズル16は、現像液18を吐出する側を覆うように設けられた多孔質材料(例:布膜19)と、密閉された内部を加圧または減圧する機構(=ピストン20)を備える。現像処理は、ノズル16の内部の現像液18を加圧して、布膜19の表面に形成された現像液膜25とウエハ11上のフォトレジスト膜12と接触させるように供給し、現像処理を行う。また、必要に応じて、ノズル16の内部を複数回ピストン20で加圧及び減圧し、現像液18を攪拌しながら現像処理を行う。

請求項（抜粋）：

被処理基板の上方に、底面に処理液保持層を有し、且つ前記処理液保持層の上に処理液溜めを有し、前記処理液保持層を通じて処理液の供給及び吸引を行うことを可能とする機構が設けられたノズルを対向させ、前記処理液溜め中の処理液に対して、被処理基板方向に加圧し、前記処理液保持層の表面に前記処理液の膜を形成する工程と、前記処理液の膜を、液膜状に前記被処理基板に供給して、被処理領域を処理する工程とを有することを特徴とする基板処理方法。

IPC (8件)：

H01L 21/027 , B05B 1/14 , B05C 1/02 101 , B05C 5/00 101 , B05C 11/10 , B05D 1/26 , B05D 3/00 , G03F 7/30 502

FI (8件)：

B05B 1/14 Z , B05C 1/02 101 , B05C 5/00 101 , B05C 11/10 , B05D 1/26 Z , B05D 3/00 B , G03F 7/30 502 , H01L 21/30 569 F

Fターム (63件)：

2H096AA25 , 2H096GA08 , 2H096GA30 , 2H096GA31 , 4D075AC07 , 4D075AC09 , 4D075AC64 , 4D075AC79 , 4D075AC84 , 4D075BB16Y , 4D075CA48 , 4D075DA06 , 4D075DA08 , 4D075DC22 , 4D075DC24 , 4D075DC27 , 4D075EA07 , 4D075EA45 , 4F033AA01 , 4F033AA04 , 4F033AA14 , 4F033BA03 , 4F033CA09 , 4F033DA05 , 4F033EA01 , 4F033FA01 , 4F033NA01 , 4F040AA02 , 4F040AA12 , 4F040AA14 , 4F040AB06 , 4F040AB13 , 4F040AB14 , 4F040AC01 , 4F040BA04 , 4F040CA01 , 4F040CA02 , 4F040CA05 , 4F040CA09 , 4F040CA12 , 4F040CA18 , 4F041AA02 , 4F041AA06 , 4F041AB02 , 4F041BA04 , 4F041BA13 , 4F041BA15 , 4F041BA17 , 4F041BA34 , 4F041BA43 , 4F042AA02 , 4F042AA07 , 4F042AA08 , 4F042AA10 , 4F042CA07 , 4F042CB03 , 4F042CB10 , 4F042CB27 , 4F042EB17 , 4F042EB29 , 5F046LA03 , 5F046LA04 , 5F046LA14

引用特許：

出願人引用 (9件)

基板処理方法及び基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-035715 出願人：株式会社東芝
現像欠陥を低減したフォトレジストの現像方法及び同装置、及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-012319 出願人：ソニー株式会社
特開平3-203224

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