特許
J-GLOBAL ID：200903063169108428
ウエーハのレーザー加工方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-339988
公開番号（公開出願番号）：特開2007-149820
出願日： 2005年11月25日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：
【課題】ウエーハに形成されたストリートに沿って確実に分割することができるとともに、分割されたデバイスの品質の低下を抑制することができるウエーハのレーザー加工方法を提供する。【解決手段】基板の表面に機能層が形成され格子状に配列された複数のストリートによって形成された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハ20を、ストリートに沿ってレーザー加工するウエーハ20のレーザー加工方法であって、各ストリートに対して加工領域Gと無加工領域Hとを交互に設定し、加工領域Gに沿ってパルスレーザー光線を照射してレーザー加工溝210を形成することにより、ストリートに沿ってレーザー加工溝210と無加工領域Hを交互に形成する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
基板の表面に機能層が形成され格子状に配列された複数のストリートによって形成された複数の領域にデバイスが形成されたウエーハを、ストリートに沿ってレーザー加工するウエーハのレーザー加工方法であって、
各ストリートに対して加工領域と無加工領域とを交互に設定し、加工領域に沿ってパルスレーザー光線を照射してレーザー加工溝を形成することにより、ストリートに沿ってレーザー加工溝と無加工領域を交互に形成する、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, B23K 26/00
, B23K 26/40
H01L21/78 B
, H01L21/78 L
, B23K26/00 D
, B23K26/00 G
, B23K26/40
