特許
J-GLOBAL ID:200903063209539370

半導体装置とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 志賀 正武 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-244465
公開番号(公開出願番号):特開平7-169796
出願日: 1994年10月07日
公開日(公表日): 1995年07月04日
要約:
【要約】【目的】 半導体チップの実装占有面積を小さくし、半導体装置の小型化、および高密度化を実現する。【構成】 半導体チップ1の表面に集積回路4が形成されると共に、前記集積回路4の電極部から前記半導体チップ1の少なくとも1つの側面SDにかけて電極用金属部5が形成され、この半導体チップ側面SDの電極用金属部5が端子電極5aを形成してなる。
請求項(抜粋):
半導体チップの表面に集積回路が形成されると共に、前記集積回路の電極部から前記半導体チップの少なくとも1つの側面にかけて電極用金属部が形成され、この半導体チップ側面の電極用金属部が端子電極を形成してなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/60 321 ,  H01L 21/301
FI (2件):
H01L 21/78 L ,  H01L 21/78 S
引用特許:
審査官引用 (3件)

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