特許
J-GLOBAL ID：200903063211716476
3-5族化合物半導体チップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-075380
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189498
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】基板分割工程における半導体結晶の損傷の発生を抑え、歩留まりを向上させることのできる3-5族化合物半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板上に作製された一般式InxGayAlzN(x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される窒化物系3-5族化合物半導体の積層構造を有するエピタキシャル基板を分割して、半導体チップを製造する方法において、ウェットエッチング法を用いて該化合物半導体の一部を除去しサファイア基板が露出した割り溝を形成し、該割り溝をスクライビングする工程を有する3-5族化合物半導体チップの製造方法。
請求項（抜粋）：
サファイア基板上に作製された一般式InxGayAlzN(x+y+z=1,0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1)で表される窒化物系3-5族化合物半導体の積層構造を有するエピタキシャル基板を分割して、半導体チップを製造する方法において、ウェットエッチング法を用いて該化合物半導体の一部を除去しサファイア基板が露出した割り溝を形成し、該割り溝をスクライビングする工程を有することを特徴とする3-5族化合物半導体チップの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, H01L 21/308
, H01L 33/00
H01L 21/78 S
, H01L 21/308 C
, H01L 33/00 C
