特許

J-GLOBAL ID：200903063212214644

スイッチング制御回路

発明者： 福士 巌 ,  小林 洋介
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社 ,  三洋半導体株式会社
代理人 (1件)： 一色国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-324019
公開番号（公開出願番号）：特開2008-141832
出願日： 2006年11月30日
公開日（公表日）： 2008年06月19日
要約：

【課題】プレバイアス状態においてDC-DCコンバータを迅速に起動する。【解決手段】NチャネルMOSFETと、整流素子と、インダクタと、第1キャパシタと、一端にNチャネルMOSFETをオンさせるための第1電圧が印加され、他端がNチャネルMOSFETの出力電極と接続される第2キャパシタとを含み、第1キャパシタの一端に目的レベルの出力電圧を生成するDC-DCコンバータのNチャネルMOSFETのオンオフを制御するスイッチング制御回路であって、第2キャパシタの両端の電圧が所定レベルより高いかどうかを示す監視信号を出力する電圧監視回路と、第2キャパシタの両端の電圧が所定レベルより低い場合は、第1電圧より高い第2電圧を第2キャパシタの一端に印加する充電回路と、第2キャパシタの一端の電圧を駆動電源として、入力信号に応じてNチャネルMOSFETを駆動する駆動回路とを備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

入力電極に入力電圧が印加されるNチャネルMOSFETと、一端が前記NチャネルMOSFETの出力電極と接続された整流素子と、一端が前記NチャネルMOSFETの出力電極と接続されるインダクタと、一端が前記インダクタの他端と接続される第1キャパシタと、一端に前記NチャネルMOSFETをオンさせるための第1電圧が印加され、他端が前記NチャネルMOSFETの出力電極と接続される第2キャパシタとを含み、入力信号に応じて前記NチャネルMOSFETをオンオフさせることにより前記第1キャパシタの一端に目的レベルの出力電圧を生成するDC-DCコンバータの前記NチャネルMOSFETのオンオフを制御するスイッチング制御回路であって、 前記第2キャパシタの両端の電圧が所定レベルより高いかどうかを示す監視信号を出力する電圧監視回路と、 前記電圧監視回路から出力される前記監視信号に基づいて、前記第2キャパシタの両端の電圧が前記所定レベルより低い場合は、前記第1電圧より高い第2電圧を前記第2キャパシタの一端に印加する充電回路と、 前記第2キャパシタの一端の電圧を駆動電源として、前記入力信号に応じて前記NチャネルMOSFETを駆動する駆動回路と、 を備えることを特徴とするスイッチング制御回路。

IPC (1件)：

H02M 3/155

FI (2件)：

H02M3/155 B ,  H02M3/155 X

Fターム (9件)：

5H730AA04 ,  5H730BB13 ,  5H730BB57 ,  5H730DD04 ,  5H730FD01 ,  5H730FF01 ,  5H730FG01 ,  5H730VV06 ,  5H730XC13

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電源ドライバ回路及びスイッチング電源装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-119022   出願人：株式会社ルネサステクノロジ