特許

J-GLOBAL ID：200903063217788045

単分子膜形成装置及び方法

発明者： 逢坂 哲彌 ,  笹野 順司 ,  富永 浩二 ,  佐竹 大輔 ,  野村 聡 ,  芝田 学
出願人/特許権者： 株式会社堀場製作所
代理人 (3件)： 西村 竜平 ,  佐藤 明子 ,  齊藤 真大
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-076432
公開番号（公開出願番号）：特開2009-256796
出願日： 2009年03月26日
公開日（公表日）： 2009年11月05日
要約：

【課題】低コスト且つ容易に汚染の少ないSAM膜を形成することができ、当該SAM膜をセンサ等に用いた場合にその感度を向上させることができる。【解決手段】成膜室2内に収容された基板Wの成膜面W1上に自己組織化単分子膜を形成する単分子膜形成方法であって、前記成膜室2内に自己組織化単分子を含有する成膜原料を気化させて供給し、前記基板W上に自己組織化単分子を吸着させる吸着ステップと、前記基板W上に吸着された自己組織化単分子を基板ヒータ6により脱水縮合させる脱水縮合ステップとを同一成膜室2内で行う。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

成膜室内に収容された基板の成膜面上に自己組織化単分子膜を形成する単分子膜形成方法であって、 前記成膜室内に自己組織化単分子を含有する成膜原料を気化させて供給し、前記成膜面上に自己組織化単分子を吸着させる第1吸着ステップと、 前記成膜室内に水蒸気を供給して、前記成膜面上に吸着した自己組織化単分子を加水分解させて、気相中の残存自己組織化単分子をさらに前記成膜面上に吸着させる第2吸着ステップと、 前記成膜面上に吸着された自己組織化単分子を前記基板を加熱する加熱手段により脱水縮合させる脱水縮合ステップと、を具備する単分子膜形成方法。

IPC (2件)：

C23C 16/455 ,  B82B 3/00

FI (2件)：

C23C16/455 ,  B82B3/00

Fターム (10件)：

4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15