特許

J-GLOBAL ID：200903063226027740

半導体装置の製造方法

発明者： 矢元 久良 ,  山中 英雄
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-340394
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176861
出願日： 1997年12月10日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：

【要約】【課題】 従来のCSPに比べ、小型でしかも大きな熱応力が発生しない半導体装置を、製造時間の短縮と製造コストの低減とを実現しながら製造する。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、以下の工程(a)〜(e)(a)端子パッド1を備えた半導体装置の複数個が表面に形成されているシリコンウエハ2の当該表面上に、複数の半導体装置の表面を保護するための表面保護層3を端子パッド1が露出するように形成する工程;(b)露出した端子パッド1上に、金属接着層6を形成する工程;(c)金属接着層6上に、接続用金属部材7を形成する工程(d)シリコンウエハ2の裏面をエッチングにより除去して厚みを薄くする工程; 及び(e)シリコンウエハ2を切断して個々の半導体装置に分割する工程を含んでなる。

請求項（抜粋）：

以下の工程(a)〜(e)(a)端子パッドを備えた半導体装置の複数個が表面に形成されているシリコンウエハの当該表面上に、複数の半導体装置の表面を保護するための表面保護層を端子パッドが露出するように形成する工程;(b)露出した端子パッド上に、金属接着層を形成する工程;(c)金属接着層上に、接続用金属部材を形成する工程(d)シリコンウエハの裏面をエッチングにより除去して厚みを薄くする工程; 及び(e)シリコンウエハを切断して個々の半導体装置に分割する工程を含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  G03F 7/40 501 ,  H01L 21/312

FI (5件)：

H01L 21/92 604 A ,  H01L 21/60 311 Q ,  G03F 7/40 501 ,  H01L 21/312 D ,  H01L 21/92 604 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-333074   出願人：株式会社東芝
• 半導体チップおよびマルチチップ半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-019271   出願人：シャープ株式会社
• バンプ形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-276323   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-218500   出願人：株式会社東芝