シリコン発光装置とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：園田吉隆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-599103
公開番号（公開出願番号）：特表2002-536850
出願日： 2000年02月07日
公開日（公表日）： 2002年10月29日
要約：

【要約】本発明はシリコンの少なくとも1つの活性領域を有する光導波装置と前記活性領域で光子を生み出す手段に関する。本発明によると、光子を生み出す手段は、活性領域で形成されたダイオード(22c、22d)を具備する。さらに、その装置はダイオードで注入されたキャリアを閉じこめる手段を具備し、活性領域のシリコンは単一結晶から成っている。

請求項（抜粋）：

シリコンの少なくとも1つの活性領域(22)を有する光導波装置と前記活性領域で光子を生み出す手段であって、光子を生み出す手段は、活性領域で形成されたダイオード(22c、22d)を有し、当該装置は、当該ダイオードによって注入されたキャリアを閉じこめる手段を有し、当該活性領域での当該シリコンは、単一結晶から成る。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 33/00 A , H01L 27/14 Z

Fターム (12件)：

4M118AA10 , 4M118AB05 , 4M118EA01 , 4M118FC03 , 5F041CA03 , 5F041CA05 , 5F041CA12 , 5F041CA14 , 5F041CA33 , 5F041CA57 , 5F041CA91 , 5F041CB15

引用特許：

審査官引用 (5件)

エルビウムにてドープされた光学デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-158555 出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー
シリコン発光ダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-195844 出願人：日本電信電話株式会社
光増幅装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-143644 出願人：アメリカンテレフォンアンドテレグラフカムパニー

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