特許
J-GLOBAL ID：200903063245897275
超電導バルク体の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 英彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-102916
公開番号（公開出願番号）：特開平7-309698
出願日： 1994年05月17日
公開日（公表日）： 1995年11月28日
要約：
【要約】【目的】 溶融状態にある超電導体に種結晶を着接する際、超電導体を変形させずに種結晶からの結晶成長における結晶配向精度を高くし、良質な結晶組織を有する超電導バルク体を製造することを目的とする。【構成】 上記目的を達成するため、種結晶1の表面にパイプ2の端部端面を接触させた状態で他方の端部からパイプ2中空部の空気を排出し、種結晶1をパイプ2に真空吸引した状態で種結晶1とパイプ2とを一体的に移動させ、種結晶1を電気炉5内で溶融状態にある超電導体6に着接させたあと、パイプ2中空部を非真空状態にして種結晶1をパイプ2から離すようにすることである。
請求項（抜粋）：
溶融状態にある超電導体に対して種結晶を着接させ、その種結晶を成長させて超電導バルク体を製造する方法であって、前記種結晶の表面にパイプの端部端面を接触させた状態で他方の端部からパイプ中空部の空気を排出し、前記種結晶を前記パイプに真空吸引した状態で前記種結晶とパイプとを一体的に移動させ、前記種結晶を前記超電導体に着接させたあと、前記パイプ中空部を非真空状態にして前記種結晶を前記パイプから離すことを特徴とする超電導バルク体の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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