特許

J-GLOBAL ID：200903063249713047

プラズマ処理装置

発明者： 高木 憲一
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-027582
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203695
出願日： 1995年01月24日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：

【要約】【目的】 プラズマ処理装置で、放電容器壁のスパッタを防止し、半導体プロセスの汚染を防止し、放電容器の耐久性と安全性を向上する。【構成】 高周波電力を導入するための誘電体部12を備える真空容器14と、真空容器の内部を減圧状態に保持する排気機構15と、真空容器の内部に反応ガスを導入するガス導入機構16と、誘電体部に近接して配置されるアンテナ21と、アンテナに高周波電力を供給し、誘電体部を通して誘導結合によって真空容器の内部に高周波電力を導入する高周波電力導入機構13と、真空容器内で誘電体部に対向して設置される基板保持機構17を備え、アンテナの高周波電流が流れる方向に対して垂直な断面の形状が偏平であり、断面の長軸が誘電体部の表面に対して実質的に垂直で、アンテナの前記誘電体部に対する対向面積が小さくなるようにアンテナを配置するように構成される。

請求項（抜粋）：

高周波電力を導入するための誘電体部を備える真空容器と、前記真空容器の内部を減圧状態に保持する排気機構と、前記真空容器の内部に反応ガスを導入するガス導入機構と、前記誘電体部に近接して配置されるアンテナと、前記アンテナに高周波電力を供給し、前記誘電体部を通して誘導結合によって前記真空容器の内部に高周波電力を導入する高周波電力導入機構と、前記真空容器内で前記誘電体部に対向して設置される基板保持機構を備えたプラズマ処理装置において、前記アンテナの高周波電流が流れる方向に対して垂直な断面の形状が偏平であり、前記断面の長軸が前記誘電体部の表面に対して実質的に垂直で、前記アンテナの前記誘電体部に対する対向面積が小さくなるように前記アンテナを配置することを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05B 6/72

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-079025
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-067792   出願人：堀池靖浩, 株式会社神戸製鋼所