特許
J-GLOBAL ID：200903063278315824
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-123184
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293492
出願日： 1995年04月24日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【目的】 パッシベーション膜から露呈される金属配線の腐食を防止するとともに、バッファ層としてのポリイミド膜とモールド樹脂との密着性の低下を防止する。【構成】 半導体基板11上に金属配線14を形成し、この上に絶縁膜15を形成し、その上にポリイミド膜16を形成した上でこのポリイミド膜16のパターン加工を行ない、これをマスクに絶縁膜15を選択的にエッチングする。その後に酸素プラズマでポリイミド膜16の表面のアッシングを行ない、かつ熱処理を行ってポリイミド膜16のイミド化反応を行う。絶縁膜15のエッチング後に酸素アッシングをすることで、エッチングに用いたエッチャントを表面のポリイミドと共に除去し、金属配線14の腐食を防止する。また、アッシング後に熱処理を行うことで、アッシングにより解離したイミド結合を再結合でき、モールド樹脂との密着性低下を防止する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に金属配線を形成する工程と、この金属配線上に絶縁膜を形成する工程と、この絶縁膜上にポリイミド膜を形成する工程と、前記ポリイミド膜のパターン加工を行う工程と、パターン加工されたポリイミド膜をマスクに前記絶縁膜を選択的にエッチングする工程と、エッチング後に酸素プラズマで前記ポリイミド膜表面のアッシングを行う工程と、熱処理を行い前記ポリイミド膜のイミド化反応を行う工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/312
, H01L 21/3213
, H01L 23/29
, H01L 23/31
H01L 21/312 B
, H01L 21/312 N
, H01L 21/88 C
, H01L 23/30 R
