特許
J-GLOBAL ID：200903063280051486
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-170072
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022462
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】 低電圧で動作するように動的にしきい値の変化する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板内に形成された第1導電型の深いウェル領域302と、深いウェル領域302内に形成された第2導電型の浅いウェル領域303と、浅いウェル領域303内に形成された第1導電型のソース/ドレイン領域307と、ソース/ドレイン領域307の間に形成されたチャネル領域と、チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜305と、ゲート絶縁膜305上に形成されたゲート電極306とを備え、ゲート電極306が浅いウェル領域103と電気的に接続され、各浅いウェル領域303は、隣接する他の浅いウェル領域303から溝型素子分離構造304によって電気的に分離されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、該半導体基板内に形成された第1導電型の深いウェル領域と、該深いウェル領域内に形成された、複数の第2導電型の浅いウェル領域と、該複数の浅いウェル領域内にそれぞれ形成された第1導電型のソース領域及びドレイン領域と、該ソース領域及び該ドレイン領域の間に形成されたチャネル領域と、該チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、を備えた半導体装置であって、該ゲート電極が対応する該浅いウェル領域と電気的に接続されており、該浅いウェル領域は、隣接する他の浅いウェル領域から電気的に分離されている、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 27/08 331
, H01L 21/76
H01L 27/08 331 A
, H01L 21/76 L
