レジストパターン形成方法およびネガ型レジスト組成物

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：棚井澄雄 , 志賀正武 , 青山正和 , 鈴木三義 , 柳井則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-286465
公開番号（公開出願番号）：特開2008-102429
出願日： 2006年10月20日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】レジストパターンの膜減りが低減された新規なレジストパターン形成方法、および当該レジストパターン形成方法に用いられるネガ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】支持体1上に、第一のレジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜2を形成する工程と、前記第一のレジスト膜2を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第一のレジストパターン3を形成する工程と、前記第一のレジストパターン3が形成された前記支持体1上に、水酸基を有さないエーテル系有機溶剤(S”)を含有するネガ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜6を形成する工程と、前記第二のレジスト膜6を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像してレジストパターン3、7を形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

支持体上に、第一のレジスト組成物を塗布して第一のレジスト膜を形成する工程と、前記第一のレジスト膜を、第一のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像して第一のレジストパターンを形成する工程と、前記第一のレジストパターンが形成された前記支持体上に、水酸基を有さないエーテル系有機溶剤(S”)を含有するネガ型レジスト組成物を塗布して第二のレジスト膜を形成する工程と、前記第二のレジスト膜を、第二のマスクパターンを介して選択的に露光し、現像してレジストパターンを形成する工程とを含むことを特徴とするレジストパターン形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/40 , H01L 21/027 , G03F 7/039 , G03F 7/038 , G03F 7/004

FI (6件)：

G03F7/40 511 , H01L21/30 502C , H01L21/30 573 , G03F7/039 601 , G03F7/038 601 , G03F7/004 501

Fターム (23件)：

2H025AA00 , 2H025AB16 , 2H025AD01 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BG00 , 2H025CB14 , 2H025CB41 , 2H025CB45 , 2H025CC03 , 2H025CC17 , 2H025CC20 , 2H025FA17 , 2H025FA39 , 2H096AA25 , 2H096BA06 , 2H096BA11 , 2H096HA30 , 2H096JA04 , 2H096JA10 , 2H096LA30 , 5F046AA11 , 5F046NA01

引用特許：

出願人引用 (1件)

ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-201310 出願人：東京応化工業株式会社

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