特許
J-GLOBAL ID：200903063306887022

電極構造体及びその製造方法、並びに電子デバイス

発明者：
近藤 眞一郎

近藤 眞一郎 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-305111
公開番号（公開出願番号）：特開2008-124188
出願日： 2006年11月10日
公開日（公表日）： 2008年05月29日
要約：
【課題】 ナノサイズの間隙部を有する電極構造体を、生産性よく、確実に製造することのできる電極構造体の製造方法、及びその製造方法によって作製される電極構造体並びに電子デバイスを提供すること。【解決手段】 まず、絶縁性基板1に細線2を配置する。次に、絶縁性基板1の、細線2の側方に位置する領域を被覆するように、導電性微粒子3からなる導電性微粒子層4を配置する。導電性微粒子層4は、単粒子層であるのが望ましく、例えばラングミュア-ブロジェット(LB)法を用いて形成する。次に、電極5および6を形成する領域に存在する導電性微粒子3に電子線を照射して、導電性微粒子3同士を融着させ、細線2を間に挟んで対向する2つの電極5および6を形成する。次に、細線2を除去して、2つの電極5および6間に間隙部7を形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
間隙部を間に挟んで対向する2つの電極からなる電極構造体の製造方法であって、 絶縁性基体に細線を配置する工程と、 前記絶縁性基体の、前記細線の側方に位置する領域を被覆するように、導電性材料を 配置する工程と、 この導電性材料から、前記細線を間に挟んで対向する2つの前記電極を形成する工程 と、 前記細線を除去して、2つの前記電極間に前記間隙部を形成する工程と を有する、電極構造体の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 21/288 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/04 ,  H01L 29/417 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/06
FI (9件)：
H01L21/288 Z ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 616V ,  H01L27/04 C ,  H01L27/04 P ,  H01L29/50 M ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/44 Z ,  H01L29/06 601N
Fターム (47件)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104DD53 ,  4M104DD78 ,  4M104DD81 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104GG19 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC19 ,  5F038AR06 ,  5F038AR13 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ20 ,  5F110AA16 ,  5F110BB03 ,  5F110BB05 ,  5F110CC03 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE08 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG05 ,  5F110GG23 ,  5F110GG28 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ01
引用特許：
審査官引用 (1件)
  • パターン化処理方法
    公報種別：公表公報   出願番号：特願2002-572654   出願人：セイコーエプソン株式会社

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