酸化亜鉛系透明導電膜積層体と透明導電性基板およびデバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上田章三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-042720
公開番号（公開出願番号）：特開2009-199986
出願日： 2008年02月25日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：

【課題】太陽電池の電極等に適用されその導電性が改善された酸化亜鉛系透明導電膜積層体を提供する。【解決手段】スパッタリング法等により基板上に成膜され、ガリウム含有量が異なる複数層の酸化亜鉛系透明導電膜により構成された酸化亜鉛系透明導電膜積層体であって、最も基板側に成膜される酸化亜鉛系透明導電膜が、Ga/(Zn+Ga)の原子数比でガリウム含有量が5.6〜10.0%に設定されかつ膜厚が20〜40nmに設定された酸化亜鉛系薄膜層(1)により構成され、この酸化亜鉛系薄膜層(1)上に成膜される単一若しくは複数の酸化亜鉛系透明導電膜が、上記酸化亜鉛系薄膜層(1)よりガリウム含有量が少ない酸化亜鉛系薄膜層(2)により構成されていることを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

スパッタリング法若しくはイオンプレーティング法により基板上に成膜されると共に、ガリウム含有量が異なる複数層の酸化亜鉛系透明導電膜により構成された酸化亜鉛系透明導電膜積層体において、最も基板側に成膜される酸化亜鉛系透明導電膜が、Ga/(Zn+Ga)の原子数比でガリウム含有量が5.6〜10.0%に設定されかつ膜厚が20〜40nmに設定された酸化亜鉛系薄膜層(1)により構成され、この酸化亜鉛系薄膜層(1)上に成膜される単一若しくは複数の酸化亜鉛系透明導電膜が、上記酸化亜鉛系薄膜層(1)よりガリウム含有量が少ない酸化亜鉛系薄膜層(2)により構成されていることを特徴とする酸化亜鉛系透明導電膜積層体。

IPC (4件)：

H01B 5/14 , C23C 14/08 , B32B 17/06 , H01L 31/04

FI (4件)：

H01B5/14 A , C23C14/08 C , B32B17/06 , H01L31/04 M

Fターム (49件)：

4F100AA25B , 4F100AA25C , 4F100AA25D , 4F100AG00A , 4F100AS00A , 4F100BA04 , 4F100BA05 , 4F100BA07 , 4F100EH66 , 4F100GB41 , 4F100JG01B , 4F100JG01C , 4F100JG01D , 4F100JG04 , 4F100JN01B , 4F100JN01C , 4F100JN01D , 4F100YY00B , 4F100YY00C , 4F100YY00D , 4K029AA09 , 4K029AA11 , 4K029AA24 , 4K029BA49 , 4K029BB02 , 4K029BC09 , 4K029CA03 , 4K029CA05 , 4K029DA08 , 4K029DC05 , 4K029DC16 , 4K029DC34 , 4K029DC39 , 4K029EA01 , 4K029EA08 , 5F051AA03 , 5F051AA05 , 5F051DA03 , 5F051DA04 , 5F051FA02 , 5F051FA17 , 5F051GA03 , 5G307FA01 , 5G307FA02 , 5G307FB01 , 5G307FC09 , 5G323BA02 , 5G323BB04 , 5G323BB05

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開昭62-122011号公報
特開平2-149459号公報
スパッタリングターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-289203 出願人：旭硝子株式会社

前のページに戻る