特許
J-GLOBAL ID:200903063345864749

塩基性化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-142813
公開番号(公開出願番号):特開2004-347736
出願日: 2003年05月21日
公開日(公表日): 2004年12月09日
要約:
【解決手段】式(1)で示されるイミダゾール骨格及び極性官能基を有する塩基性化合物を含有するレジスト材料。【化1】(R1は炭素数2〜20の極性官能基を有するアルキル基であり、極性官能基としては水酸基、カルボニル基、エステル基、エーテル基、スルフィド基、カーボネート基、シアノ基又はアセタール基を1個もしくは複数個含む。R2、R3、R4は水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、炭素数6〜10のアリール基又は炭素数7〜10のアラルキル基である。)【効果】本発明の塩基性化合物を配合して調製したレジスト材料は、解像性、フォーカスマージンに優れ、電子線や遠紫外線を用いた微細加工に有用である。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
下記一般式(1)で示されるイミダゾール骨格及び極性官能基を有する塩基性化合物の1種又は2種以上を含有することを特徴とするレジスト材料。
IPC (6件):
G03F7/004 ,  C07D233/60 ,  C09K3/00 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027
FI (6件):
G03F7/004 501 ,  C07D233/60 ,  C09K3/00 K ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R
Fターム (17件):
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB29 ,  2H025CB42 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17
引用特許:
審査官引用 (5件)
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